Импорт транзистора в КИРГИЗИЮ из России

ТРАНЗИСТОРНЫЕ МАТРИЦЫ КРЕМНИЕВЫЕ ЭПИТАКСИАЛЬНО ПЛАНАРНЫЕ СОСТОИТ ИЗ ОТДЕЛЬНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ МОЩНОСТЬЮ РАССЕИВАНИЯ МЕНЕЕ ВТ ВЫХОДНАЯ МОЩНОСТЬ ОДНОГО ТРАНЗИСТОРА МВТ В МЕТАЛЛОСТЕКЛЯННОМ КОРПУСЕ ГРАНИЧНАЯ ЧАСТОТА ОДНОГО ТРАНЗИСТОРА МГ

ТРАНЗИСТОРЫ МОЩНОСТЬЮ РАССЕИВАНИЯ МЕНЕЕ ВТ НЕ ЯВЛЯЮТСЯ ФОТОТРАНЗИСТОРАМИ ПРИМЕНЯЮТСЯ В РАДИОЭЛЕКТРОННОЙ АППАРАТУРЕ ТРАНЗИСТОРНАЯ МАТРИЦА НТ КРЕМНИЕВЫЕ ПЛАНАРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ МОЩНОСТЬ РАССЕИВАНИЯ ВТ ПРИМЕНЯЮТСЯ В АППАРАТУРЕ СПЕЦИАЛЬНОГ

СЕТЕВОЙ КОНТРОЛЛЕР КОЛИЧЕСТВО СЧИТЫВАТЕЛЕЙ РЕЛЕЙНЫЕ ВЫХОДЫ ВЫХОДЫ МДП ТРАНЗИСТОР ТИПЫ ПРОТОКОЛЫ ПОДКЛЮЧАЕМЫХ СЧИТЫВАТЕЛЕЙ

ТРАНЗИСТОРЫ СТРУКТУРЫ ПРЕДНАЗНАЧЕНЫ ДЛЯ ПРИМЕНЕНИЯ В УСИЛИТЕЛЯХ И ИМПУЛЬСНЫХ УСТРОЙСТВАХ ВЫПУСКАЮТСЯ В МЕТАЛЛОСТЕКЛЯННОМ КОРПУСЕ С ГИБКИМИ ВЫВОДАМИ

КОММУТАТОР ИЗДЕЛИЕ ПРЕДНАЗНАЧЕНО ДЛЯ КОММУТАЦИИ ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ТОКА В ПЕРВИЧНОЙ ОБМОТКЕ КАТУШКИ ЗАЖИГАНИЯ РАЗРЫВ ПЕРВИЧНОЙ ЦЕПИ КАТУШКИ ЗАЖИГАНИЯ В НЕОБХОДИМЫЙ МОМЕНТ ПУТЕМ ВКЛЮЧЕНИЯ АКТИВНОГО СОПРОТИВЛЕНИЯ ВЫХОДНОГО ТРАНЗИСТОРА ГОСТ Р

ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЕВЫЕ МОЩНОСТЮ РАССЕИВАНИЯ ВТ Т Г ВТ Т А ВТ Т Б ВТ Т В ВТ П А ВТ П А ВТ ПРЕДНАЗНАЧЕНЫ ДЛЯ ПРИМЕНЕНИЯ В УСИЛИТЕЛЯХ И ИМПУЛЬСНЫХ УСТРОЙСТВАХ

ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЕВЫЕ ПЛАНАРНЫЕ МОЩНОСТЬЮ РАССЕИВАНИЯ ВТ НЕ ЯВЛЯЮТСЯ ФОТОТРАНЗИСТОРАМИ ПРЕДНАЗНАЧЕН ДЛЯ ГЕНЕРИРОВАНИЯ И УСИЛЕНИЯ СИГНАЛОВ В РАДИОТЕХНИЧЕСКИХ УСТРОЙСТВАХ СПЕЦИАЛЬНОГО НАЗНАЧЕНИЯ Т Б ШТ

ТРАНЗИСТОРЫ Т М КРЕМНИЕВЫЕ ЭПИТАКСИАЛЬНО ПЛАНАРНЫЕ СТРУКТУРЫ ПРЕДНАЗНАЧЕНЫ ДЛЯ ПРИМЕНЕНИЯ В УСИЛИТЕЛЯХ И ИМПУЛЬСНЫХ УСТРОЙСТВАХ ВЫПУСКАЮТСЯ В МЕТАЛЛОСТЕКЛЯННОМ КОРПУСЕ С ГИБКИМИ ВЫВОДАМИ ПРИМЕНЯЕТСЯ В ПРОИЗВОДСТВЕ МЕДИЦИНСКИХ СМ ДОПОЛНЕНИЕ ЦЕНТ

ДИОДЫ ПНП ПЕРЕХОДА НЕ ОТНОСЯЩИЕСЯ К ФОТОДИОДАМ И ТРАНЗИСТОРАМ И ДРГУИМ АНАЛОГИЧНЫМ ТОВАРАМ СОСТОЯЩИЕ ИЗ КРИСТАЛА СОБРАННОГО В ПЛАСТИКОВЫЙ КОРПУС ИМЕЮЩИЙ ДВА ВЫВОДА ПРИМЕНЯЕТСЯ ДЛЯ ПРОИЗВОДСТВА РАДИОЭЛЕКТРОННОГО ОБОРУДОВАНИЯ НЕ ДЛЯ ВОЕННОГО НАЗНАЧЕНИЯ АР

ТРАНЗИСТОР ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ТРИОД РАДИОЭЛЕКТРОННЫЙ КОМПОНЕНТ ИЗ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО МАТЕРИАЛА ОБЫЧНО С ТРЕМЯ ВЫВОДАМИ ПОЗВОЛЯЮЩИЙ ВХОДНЫМ СИГНАЛАМ УПРАВЛЯТЬ ТОКОМ В ЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ЦЕПИ ОБЫЧНО ИСПОЛЬЗУЕТСЯ ДЛЯ УСИЛЕНИЯ ГЕНЕРАЦИИ И ПРЕОБРАЗОВАНИЯ ЭЛЕ

ТРАНЗИСТОРЫ НЕ СОДЕР КОМП ОВ ИЗГ ИЗ СВЕРХПРОВ МАТЕР НЕ МИКРОВОЛ МОЩН РАССЕИВ ОТ ДО ВТ НЕ ОТХОДЫ Т Б Т М ШТ

МУЛЬТИМЕТР ЦИФРОВОЙ ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ НАПРЯЖЕНИЯ В СЕТЯХ ПОСТОЯННОГО И ПЕРЕМЕННОГО ТОКА СИЛЫ ПОСТОЯННОГО И ПЕРЕМЕННОГО ТОКА СОПРОТИВЛЕНИЯ ЕМКОСТИ ЧАСТОТЫ ТЕМПЕРАТУРЫ КОНТРОЛЯ ТРАНЗИСТОРОВ ДИОДОВ И КОНТАКТОВ БЕЗ ЗАПИСЫВАЮЩЕГО УСТРОЙСТВА

КРЕМНИЕВЫЕ ЭПИТАКСИАЛЬНО ПЛАНАРНЫЕ Р П Р ТРАНЗИСТОРЫ МОЩНОСТЬЮ РАССЕИВАНИЯ КОЛЛЕКТОРА МИЛИВАТТ В МЕТАЛЛОСТЕКЛЯННОМ КОРПУСЕ ПРЕДНАЗНАЧЕНЫ ДЛЯ РАБОТ В АППАРАТУРЕ СПЕЦ НАЗНАЧЕНИЯ

ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЕВЫЕ ЭПИТАКСИАЛЬНО ПЛАНАРНЫЕ СТРУКТУРЫ ПРЕДНАЗНАЧЕНЫ ДЛЯ ПРИМЕНЕНИЯ В УСИЛИТЕЛЯХ И ИМПУЛЬСНЫХ УСТРОЙСТВАХ ВЫПУСКАЮТСЯ В МЕТАЛЛОСТЕКЛЯННОМ КОРПУСЕ С ГИБКИМИ ВЫВОДАМИ ПРИМЕНЯЕТСЯ В ПРОИЗВОДСТВЕ МЕДИЦИНСКИХ ЦЕНТРИФУГ

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ ТРАНЗИСТОРЫ МАЛОШУМЯЩИЕ МОЩНОСТЬЮ РАССЕИВАНТЯ МЕНЕЕ ВТ

ТРАНЗИСТОР Т А

ТРАНЗИСТОРЫ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ НА НАПРЯЖЕНИЕ ДО ВОЛЬТ МОДЕЛЬ АПИ

ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ СИСТЕМА АВТОМАТИЧЕСКОГО УПРАВЛЕНИЯ ТЯГОВЫМ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕМ НА ТРАНЗИСТОРАХ САУПТ ПРОГРАММА УПРАВЛЯЮЩАЯ ДЛЯ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ ТЕПЛОВОЗОВ ТЭ А ТЭ АМ ВЕРСИИ